利用金属和半导体二者的接合面的肖特基效应的整流作用。由於顺向的切入电压较低，导通回复时间也短，适合用於高频率的整流。一般而言漏电流较多，突波耐受度较低。也有针对此缺点做改善的品种推出。

　　稳压二极体（Reference Diode）（常用称法：齐纳二极体(Zener Diode)）

　　被施加反方向电压的场合，超过特定电压时发生的逆向击穿电压随逆向电流变化很小，具有一定的电压稳定能力。利用此性质做成的元件被用於电压基准。藉由掺杂物的种类、浓度，决定击穿电压（破坏电压）。其顺向特性与一般的二极体相同。

　　恒流二极体（或称定电流二极体，CRD、Current Regulative Diode，Constant Current Diode）

　　被施加顺方向电压的场合，无论电压多少，可以得到一定的电流的元件。通常的电流容量在1~15mA的范围。虽然被称为二极体，但是构造、动作原理都与接合型电场效应电晶体相似。

　　变容二极体（Variable Capacitance Diode、Varactor Diode）

　　施加逆向电压的场合，二极体PN接合的空乏层厚度会因电压不同而变化，产生静电容量（接合容量）的变化，可当作由电压控制的可变电容器使用。没有机械零件所以可靠度高，广泛应用於压控振汤器（VCO）或可变电压滤波器，也是电视接收器和行动电话不可缺少的零件。

　　可以发光的二极体。由发光种类与特性又有红外线二极体、各种颜色的可见光二极体、紫外线二极体等。

　　当LED产生的光是频宽极窄的同调光（Coherent Light）时，则称为雷射二极体。

　　光线射入PN接面，P区电洞、N区电子大量发生，产生电压（光电效应）。藉由测量此电压或电流，可作为光感应器使用。有PN、PIN、萧特基、APD等类型。太阳电池也是利用此种效应。

　　隧道二极体（Tunnel Diode）、江崎二极体（Esaki Diode）、透纳二极体

　　由日本人江崎玲於奈於1957年发明。是利用量子穿隧效应的作用，会出现在一定偏压范围内顺向电压增加时流通的电流量反而减少的「负电阻」的现象。这是最能耐受核辐射的半导体二极体。

　　PN之间一层高电阻的半导体层，使少数载子的积蓄效果增加，逆回复时间也较长。利用顺向偏压时高频率讯号较容易通过的性质，用于天线的频带切换以及高频率开关。

　　针状电极和平板电极相向接近尖端放电。若把针状电极当做负极，比较低的电压就会开始放电。利用这样的性质来做当作整流器。

　　用钨之类的金属针状电极与N型半导体的表面接触，此构造的特徵是寄生电容非常小。采用於锗质二极体和

　　当施加超过规定电压（Break Over电压，VBO）的电压会开始导通使得端子之间的电压降低的双方向元件。用於电路的突波保护上。另，虽被称为二极体，实际的构造、动作原理都应归类为闸流管/;矽控整流器整流器(thyristor/SCR)的复杂分类中。

　　若超过一定电压，电阻就会降低。是保护电路受到突波电压伤害的双向元件。通常由二氧化锌的烧结体颗粒制成，当作非线性电阻使用。虽然一般认为它的作用应是由内部众多金属氧化物颗粒间的萧特基接面二极体效应而产生，但对外并不呈现二极体的特性，因此平常并不列在二极体分类之中。

　　简介：习惯上说的对地打阻值，或者对地测数值，最准确的应该叫做二极体值。这是最常用的测量方法，

　　习惯上说的对地打阻值，或者对地测数值，最准确的应该叫做二极体值。这是最常用的测量方法，原理是测量接地点到测试点的压降值。使用方法也比较简单，把万用表开到二极体档，然后红色表笔接地，黑色表笔接欲测量之位置。然后看万用表上的读数即可。一般用在测量各个基本电压如12V，5V，3.3V，5VSB，3VSB等是否对地短路和量测控制信号和AD信号线是否短路和开路。二极体测试法是一个很重要也很有效的测试方法，例如在主板不加电的时候，我们可以用来测量ATX插座上的12V,5V,3.3V是否对地有短路或微短现象。来确定上述的几个重要电压是否短路。又如测量PCI上的AD线的对地二极体值，可以确定南桥到PCI的AD线是否有开路和短路，来判断南桥工作是否正常。测量USB口，网卡接口，COM口，LPT口信号线的对地二极体值，可以用来判断相应的端口和控制芯片是否工作正常等。