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　　不是 “萧特基效应”、“萧特基二极管”，应该是 “肖特基效应“、 “肖特基二极管”。

　　），电子元件当中，一种具有两个电极的装置，只允许电流由单一方向流过。许多的使用是应用其整流的功能。而变容二极体（Varicap Diode）则用来当作电子式的可调电容器。

　　大部分二极体所具备的电流方向性我们通常称之为「整流（Rectifying）」功能。二极体最普遍的功能就是只允许电流由单一方向通过（称为顺向偏压），逆向时阻断 （称为逆向偏压）。因此，二极体可以想成电子版的逆止阀。然而实际上二极体并不会表现出如此完美的开与关的方向性，而是较为复杂的非线性电子特徵——这是由特定类型的二极体技术决定的。二极体使用上除了用做开关的方式之外还有很多其他的功能。

　　早期的二极体包含「猫须晶体（Cats Whisker Crystals）」以及真空管(英国称为「热游离阀（Thermionic Valves）」)。现今最普遍的二极体大多是使用半导体材料如矽或锗。

　　二极体具有阳极（anode）和阴极（Cathode）两个端子（这些用语来自於真空管），电流只能往单一方向流动。也就是说，电流可以从阳极流向阴极，不能从阴极流向阳极(单向性)。这种特性就被称之为整流作用。在真空管内，藉由电极之间加上的电压能够让热电子从阴极到达阳极，因而有整流的作用。

　　半导体二极体中，有利用P型和N型两种半导体接合面的PN接面效应，也有利用金属与半导体接合产生的萧特基效应达到整流作用的类型。若是PN接面型的二极体，在P型侧就是阳极，N型侧则是阴极。

　　这里针对半导体二极体的运作原理，选择基本的PN接面（PN接面）型二极体作为例子，简单地说

　　PN接面（PN接面）二极体是N型半导体和P型半导体互相结合所构成。PN接面(PN接面)区彼此的电子和电洞相互抵销，造成主要载流子不足，形成空乏层。在空乏层内N型侧带正电，P型侧带负电，因此内部产生一个静电场，空乏层的两端存在电位差。但是如果让两端的载流子再结合的话，两端的电压差则会变成零。

　　二极体的阳极侧施加正电压，阴极侧施加负电压，这样就称为顺向偏压，所加电压为顺向偏压。如此N型半导体被注入电子，P型半导体被注入电洞。这样一来，让多数载流子过剩，空乏层缩小、消灭，正负载流子在PN接合部附近结合并消灭。整体来看，电子从阴极流向阳极（电流则是由阳极流向阴极）。在这个区域，电流随著偏压的增加也急遽地增加。伴随著电子与电洞的再结合，两者所带有的能量转变为热（和光）的形式被放出。能让顺向电流通过的必要电压被称为开启电压，特定顺向电流下二极体两端的电压称为顺向压降。

　　在阳极侧施加相对阴极负的电压，就是逆向偏压，所加电压为逆向偏压。这种情况下，因为N型区域被注入电洞，P型区域被注入电子，两个区域内的主要载流子都变为不足，因此结合部位的空乏层变得更宽，内部的静电场也更强，扩散电位也跟著变大。这个扩散电位与外部施加的电压互相抵销，让逆向的电流更难以通过。更多的细节请参阅「PN接面」条目。

　　实际的元件虽然处於逆向偏压状态，也会有微小的逆向电流（漏电流、漂移电流）通过。当逆向偏压持续增加时，还会发生

　　）。在击穿区内，电流在较大的范围内变化而二极体逆向压降变化较小。稳压二极体就利用这个区域的动作特性而制成，可以作为电压源使用。

　　当二极体的P-N接面处於顺向偏压时，必须有相当的电压被用来贯通空乏区，导致形成一逆向的电压源，此电压源的电压值就称为接面电压，矽半导体的接面电压约0.6V～0.7V，锗半导体的约0.3～0.4V

　　利用半导体中PN接合的整流性质，是最基本的半导体二极体。细节请参照PN接面的条目。